A COMPARISON OF PHOTOCONDUCTION EFFECTS IN (AL,GA)AS AND GAAS/(AL,GA)AS HETEROSTRUCTURES

被引：16

作者：

LACKLISON, DE

HARRIS, JJ

FOXON, CT

HEWETT, J

HILTON, D

ROBERTS, C

机构：

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1988年 / 3卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/3/7/002

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：633 / 640

页数：8

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