ANISOTROPIC AND SELECTIVE REACTIVE ION ETCHING OF POLYSILICON USING SF6

被引：20

作者：

PARRENS, P

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1981年 / 19卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.571219

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1403 / 1407

页数：5

共 11 条

[1]

COBURN JW, 1979, J VAC SCI TECHNOL, V16, P399

[2]

COBURN JW, 1979, SOL STAT TECHNOL, V22, P120

[3]

EISELE KM, 1981, J ELECTROCHEM SOC, V128, P125

[4] SURFACE RELIEF STRUCTURES WITH LINEWIDTHS BELOW 2000A [J].

FLANDERS, DC ;

SMITH, HI ;

LEHMANN, HW ;

WIDMER, R ;

SHAVER, DC .

[5]

LARRABEE GB, 1967, J ELECTROCHEM SOC, V114, P868

[6]

LEHMANN HW, 1978, J VAC SCI TECHNOL, V15, P325

[7]

MOGAB CJ, 1977, J ELECTROCHEM SOC, V124, P1263

[8]

MOGAB CJ, 1980, J VAC SCI TECHNOL, V17, P727

[9] ROLE OF CHEMISORPTION IN PLASMA ETCHING [J].

WINTERS, HF .

[10]

WINTERS HF, 1977, J APPL PHYS, V48, P4977