EFFECT OF OXIDE THICKNESS ON THRESHOLD VOLTAGE OF BORON ION-IMPLANTED MOSFET

被引：10

作者：

PALMER, RB ^{[1
]}

MAI, CC ^{[1
]}

HSWE, M ^{[1
]}

机构：

[1] MOSTEK CORP,WORCESTER,MA 01606

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1973年 / 120卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2403616

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：999 / 1001

页数：3

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