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EPITAXIAL GROWTH OF SMALL BANDGAP SEMICONDUCTORS
被引：4
作者：
HOLLOWAY, H
HOHNKE, DK
LOGOTHETIS, EM
机构：
来源：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY
|
1971年
/
8卷
/
01期
关键词：
D O I：
10.1116/1.1316263
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：146 / +
页数：1
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