A SIMPLE ETCHING TECHNIQUE FOR REVEALING DISLOCATIONS IN SILICON

被引：5

作者：

SPRAY, CAFT

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B | 1956年 / 69卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1088/0370-1301/69/6/116

中图分类号：

Q [生物科学];

学科分类号：

07 ; 0710 ; 09 ;

摘要：

引用

页码：689 / &

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