ANNEALING OF ION BOMBARDMENT DAMAGE IN GE

被引：14

作者：

ZWANGOBANI, E

MACDONALD, RJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(70)90518-9

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：308 / +

页数：1

相关论文

共 5 条

[1]

ABROYAN IA, 1969, SOV PHYS-SOLID STATE, V10, P2965

ANDERSON, GS ;

WEHNER, GK .

[3] Sputtered atom ejection patterns from (100) Ge surfaces [J].

MacDonald, R. J. .

[4]

MACDONALD RD, TO BE PUBLISHED

[5]

Vook F. L., 1969, Radiation Effects, V2, P23, DOI 10.1080/00337576908235576