RELATION BETWEEN INCREMENTAL INTRINSIC CAPACITANCES AND TRANSCONDUCTANCES IN MOS-TRANSISTORS

被引：11

作者：

TSIVIDIS, YP

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.19961

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：946 / 948

页数：3

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TSIVIDIS, YP .