THE HALL EFFECT IN SEMICONDUCTORS

被引：20

作者：

MANSFIELD, R

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B | 1956年 / 69卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1088/0370-1301/69/8/122

中图分类号：

Q [生物科学];

学科分类号：

07 ; 0710 ; 09 ;

摘要：

引用

页码：862 / 865

页数：4

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共 4 条

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MANSFIELD, R
[J]. PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B, 1956, 69 (01): : 76 - 82
[4] Shockley W., 1952, PHYS TODAY, V5, P18, DOI DOI 10.1063/1.3067420