CHARGE-FLOW TRANSISTOR - NEW MOS DEVICE

被引：40

作者：

SENTURIA, SD

SECHEN, CM

WISHNEUSKY, JA

机构：

[1] MIT,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,CAMBRIDGE,MA 02139

[2] MIT,CTR MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.89306

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：106 / 108

页数：3

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共 8 条

[1]

BYRD NR, 1968, NAS2115 CONTR

[2]

BYRD NR, 1975, NAS318919 CONTR

[3]

BYRD NR, 1975, NAS317515 CONTR

[4]

Grove A S, 1967, PHYS TECHNOL S, P103

NICHOLAS, ME ;

PITKANEN, DE ;

LAVINE, CF ;

ZOOK, JD ;

HAGEN, GP .

[6]

SECHEN CM, THESIS MIT

[7]

SENTURIA SD, 1975, NAS317534 CONTR

[8]

WISHNEUSKY JA, 1974, THESIS MIT