STUDIES OF GROWTH PROCESSES FROM VAPOR-PHASE OF SILICON-CARBIDE EPITAXIAL LAYERS .3. THERMODYNAMICS OF HIGH-TEMPERATURE PROCESSES IN SYSTEM SIC-N2 AT CONSTANT VOLUME

被引：8

作者：

LILOV, SK

TAIROV, YM

TSVETKOV, VF

机构：

[1] UNIV SOFIA,FAC PHYS,DEPT SEMICOND,SOFIA 26,BULGARIA

[2] VI LENIN ELECT ENGN INST,DEPT SEMICOND & DIELECT,LENINGRAD,USSR

[3] VI LENIN ELECT ENGN INST,DEPT PHYS CHEM,LENINGRAD,USSR

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(77)90031-8

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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