*DIE ELEKTRISCHE LEITFAHIGKEIT VON MIKROKRISTALLINEM HEXAGONALEM SELEN MIT THALLIUM-ZUSATZ

被引：7

作者：

LEHOVEC, K

机构：

来源：

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK | 1948年 / 124卷 / 3-6期

关键词：

D O I：

10.1007/BF01364116

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：278 / 285

页数：8

共 9 条

[1]

DATTA, 1921, PHIL MAG, V42, P463

[2] Hall effect measurement of selenium. [J].

Eckart, F ;

Kittel, A .

[3]

GMELINS, HDB ANORGANISCHEN T, V1

[4]

GUDDEN B, 1946, Z NATURFORSCHUNG, V1, P9

Hilsch, R. ;

Pohl, R. W. .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1938, 111 (5-6) :399-408

[6]

KETELAAR JA, 1939, Z KRISTALLOGR, V101, P397

[7] For the theory of semiconductor junction and peak rectifier . [J].

Schottky, W. .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1939, 113 (5-6) :367-414

[8] Simplified and advanced Theory of the Boundary Layer Rectifiers [J].

Schottky, W. .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1942, 118 (9-10) :539-592

[9]

TUBANDT C, HDB EXPT PHYSIK, V12