ORIGIN OF LASER-ASSISTED AND DOPING-ASSISTED PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS

被引：24

作者：

WAUTELET, M

QUENON, P

JADIN, A

机构：

[1] Univ de l'Etat, Mons, Belg, Univ de l'Etat, Mons, Belg

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1988年 / 3卷 / 01期

关键词：

ELECTRONIC EXCITATION;

D O I：

10.1088/0268-1242/3/1/009

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：54 / 59

页数：6

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