YBCO THIN-FILMS ON SAPPHIRE WITH AN EPITAXIAL MGO BUFFER

被引：16

作者：

BEREZIN, AB ^{[1
]}

YUAN, CW ^{[1
]}

DELOZANNE, AL ^{[1
]}

GARRISON, SM ^{[1
]}

BARTON, RW ^{[1
]}

机构：

[1] CONDUCTUS INC,SUNNYVALE,CA 94086

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS | 1991年 / 27卷 / 02期

基金：

美国国家科学基金会;

关键词：

D O I：

10.1109/20.133341

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

We have developed a process for growing as-deposited c-axis YBCO thin films on R-plane sapphire using an epitaxial buffer of electron beam evaporated MgO1. In this paper we discuss the structural and electrical properties of these films. We also describe the process parameters necessary for epitaxial growth of MgO on sapphire. Finally, we mention work in progress on a step edge YBCO junction on MgO.

引用

页码：970 / 973

页数：4

共 9 条

[1] Y1BA2CU3O7-X THIN-FILMS GROWN ON SAPPHIRE WITH EPITAXIAL MGO BUFFER LAYERS [J].