INFLUENCE OF SURFACE-STATES ON MEASUREMENT OF FIELD-EFFECT MOBILITY

被引:2
作者
HSU, ST
机构
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1978.19276
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:1331 / 1332
页数:2
相关论文
共 2 条
[1]   ELECTRON AND HOLE MOBILITIES IN INVERSION LAYERS ON THERMALLY OXIDIZED SILICON SURFACES [J].
LEISTIKO, O ;
GROVE, AS ;
SAH, CT .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1965, ED12 (05) :248-+
[2]  
Sze S. M., 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P505