DARK CURRENT AND BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF DISLOCATION-FREE INP PHOTO-DIODES

被引：31

作者：

LEE, TP

BURRUS, CA

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1980年 / 36卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1063/1.91556

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：587 / 589

页数：3

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共 4 条

[1] REPRODUCIBLE PREPARATION OF TWIN-FREE INP CRYSTALS USING THE LEC TECHNIQUE [J].

BONNER, WA .

MATERIALS RESEARCH BULLETIN, 1980, 15 (01) :63-72

[2]

CAPASSO F, UNPUBLISHED

[3] HIGH AVALANCHE GAIN IN SMALL-AREA INP PHOTO-DIODES [J].

LEE, TP ;

BURRUS, CA ;

DENTAI, AG ;

BALLMAN, AA ;

BONNER, WA .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1979, 35 (07) :511-513

[4]

SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P114