SHOT AND THERMAL NOISE IN GERMANIUM AND SILICON TRANSISTORS AT HIGH-LEVEL CURRENT INJECTIONS

被引：10

作者：

SCHNEIDER, B

STRUTT, MJO

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS | 1960年 / 48卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1109/JRPROC.1960.287525

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1731 / 1739

页数：9

共 18 条

[1]

CHENETTE ER, 1960, P IRE, V48, P111

[2]

EINSELE T, 1952, Z ANGEW PHYS, V4, P183

GUGGENBUEHL, W ;

STRUTT, MJO .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1957, 45 (06) :839-854

[4]

GUGGENBUEHL W, 1956, NACHRICHTENTECHNISCH, V5, P34

[5]

GUGGENBUEHL W, 1955, THESIS SWISS FEDERAL

[6]

GUGGENBUEHL W, 1960, UNPUB HALBLEITER KON, V1

[7]

HERLET A, 1956, Z NATURFORSCH PT A, V11, P498

[8]

Kohn G., 1954, AEU-ARCH ELEKTRON UB, V8, P561

[9]

MORTENSON KE, 1959, IRE T ED, V6, P174

[10] EXTENSION OF THE THEORY OF THE JUNCTION TRANSISTOR [J].

RITTNER, ES .

PHYSICAL REVIEW, 1954, 94 (05) :1161-1171