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RATE-GROWN GERMANIUM CRYSTALS FOR HIGH-FREQUENCY TRANSISTORS
被引:8
作者
:
BRIDGERS, HE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
BRIDGERS, HE
KOLB, ED
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0
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0
KOLB, ED
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1955年
/ 26卷
/ 09期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1722185
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
收藏
页码:1188 / 1189
页数:2
相关论文
共 5 条
[1]
BRIDGERS HE, UNPUBLISHED
[2]
BURTON, 1953, J CHEM PHYS, V21, P1987
[3]
SEGREGATION OF IMPURITIES DURING THE GROWTH OF GERMANIUM AND SILICON CRYSTALS
HALL, RN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HALL, RN
[J].
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY,
1953,
57
(08)
: 836
-
839
[4]
PFANN WG, 1954, J METALS FEB, P294
[5]
WALLACE, 1952, P I RADIO ENG, V40, P1395
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共 5 条
[1]
BRIDGERS HE, UNPUBLISHED
[2]
BURTON, 1953, J CHEM PHYS, V21, P1987
[3]
SEGREGATION OF IMPURITIES DURING THE GROWTH OF GERMANIUM AND SILICON CRYSTALS
HALL, RN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HALL, RN
[J].
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY,
1953,
57
(08)
: 836
-
839
[4]
PFANN WG, 1954, J METALS FEB, P294
[5]
WALLACE, 1952, P I RADIO ENG, V40, P1395
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