SHALLOW JUNCTIONS BY HIGH-DOSE AS IMPLANTS IN SI - EXPERIMENTS AND MODELING

被引：135

作者：

TSAI, MY ^{[1
]}

MOREHEAD, FF ^{[1
]}

BAGLIN, JEE ^{[1
]}

MICHEL, AE ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,E FISHKILL FACIL,HOPEWELL JUNCTION,NY 12533

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 51卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.328078

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：3230 / 3235

页数：6

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