LEAKAGE CURRENTS OF MOS DEVICES UNDER SURFACE-DEPLETION CONDITIONS

被引：11

作者：

STUART, RA

ECCLESTON, W

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19720163

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：225 / +

页数：1

共 6 条

[1] SURFACE RECOMBINATION IN SEMICONDUCTORS [J].

FITZGERALD, DJ ;

GROVE, AS .

[2]

GOETZBER.A, 1966, AT&T TECH J, V45, P1097

[3]

Grove A S, 1967, PHYS TECHNOLOGY SEMI

PAO, HC ;

SAH, CT .

REDDI, VGK .

[6]

WHELAN MV, 1970, PHILIPS RES REP S, V6