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DOPING ENHANCEMENT BY EXCIMER LASER IRRADIATION IN GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF GAAS
被引：2
作者：
KIMURA, K
HORIGUCHI, S
KAMON, K
SHIMAZU, M
MASHITA, M
MIHARA, M
ISHII, M
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
03期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L200
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L200 / L202
页数：3
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