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RELATIONSHIP BETWEEN CARRIER MOBILITY AND ELECTRON-CONCENTRATION IN SILICON HEAVILY DOPED WITH PHOSPHORUS
被引：22
作者：
MASETTI, G
SOLMI, S
机构：
来源：
IEE JOURNAL ON SOLID-STATE AND ELECTRON DEVICES
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1979年
/
3卷
/
03期
关键词：
D O I：
10.1049/ij-ssed.1979.0015
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：4
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