LOW-NOISE GALLIUM-ARSENIDE FIELD-EFFECT TRANSISTOR-AMPLIFIER FOR 4-GHZ RADIO

被引：2

作者：

KNERR, RH ^{[1
]}

SWAN, CB ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC, MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT & DEVICE GRP, ALLENTOWN, PA 18103 USA

来源：

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL | 1978年 / 57卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1002/j.1538-7305.1978.tb00594.x

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：479 / 490

页数：12

共 7 条

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