X-RAY STUDY OF THE ATOMIC-STRUCTURE OF AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON AND GERMANIUM

被引：9

作者：

MOSSERI, R ^{[1
]}

MALAURENT, JC ^{[1
]}

SELLA, C ^{[1
]}

DIXMIER, J ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV ORSAY,ORSAY,FRANCE

来源：

JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS | 1980年 / 35-6卷 / JAN-期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(80)90645-6

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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页码：507 / 511

页数：5

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共 3 条

[1]

FRITZSCHE H, 1979, J APPL PHYS, V50

[2] X-RAY-DIFFRACTION STUDY OF THE EFFECT OF HYDROGEN-ATOMS ON THE SI-SI ATOMIC SHORT-RANGE ORDER IN AMORPHOUS SILICON [J].

MOSSERI, R ;

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