HALL DRIFT MOBILITIES - THEIR RATIO AND TEMPERATURE DEPENDENCE IN SEMICONDUCTORS

被引：31

作者：

BLATT, FJ

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1957年 / 105卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.105.1203

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1203 / 1205

页数：3

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