RESONANT ACCEPTOR LEVELS IN ZERO-GAP SEMICONDUCTORS UNDER UNIAXIAL STRESS

被引：19

作者：

BASTARD, G

NOZIERES, P

机构：

[1] INST MAX VON LAUE PAUL LANGEVIN,F-38042 GRENOBLE,FRANCE

[2] ECOLE NORM SUPER PARIS,PHYS SOLIDES GRP,F-75231 PARIS 05,FRANCE

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1976年 / 13卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.13.2560

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：2560 / 2564

页数：5

共 8 条

[1] BASTARD G, 1974, 12TH P INT C PHYS SE, P1162
[2] BIR GL, 1962, SOV PHYS-SOL STATE, V3, P2221
[3] FINCK G, 1972, 11 P INT C PHYS SEM, P944
[4] GELMONT BL, 1972, SOVIET PHYS J EXPT T, V21, P713
[5] WAVE FUNCTIONS FOR IMPURITY LEVELS
KOSTER, GF
SLATER, JC
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1954, 95 (05): : 1167 - 1176
[6] THEORY OF IMPURITY STATES IN ZERO-GAP SEMICONDUCTORS
LIU, L
BRUST, D
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1967, 157 (03): : 627 - &
[7] MAUGER A, TO BE PUBLISHED
[8] MAUGER A, 1974, 12TH P INT C PHYS SE, P1166