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HEMT MILLIMETER WAVE MONOLITHIC AMPLIFIER ON INP
被引:6
作者
:
RIAZIAT, M
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RIAZIAT, M
PAO, YC
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PAO, YC
NISHIMOTO, C
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NISHIMOTO, C
ZDASIUK, G
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ZDASIUK, G
BANDY, S
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BANDY, S
WENG, SL
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WENG, SL
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1989年
/ 25卷
/ 20期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19890887
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
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相关论文
共 8 条
[1]
MICROWAVE-POWER AMPLIFICATION WITH INP FETS
ARMAND, M
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CHEVRIER, J
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LINH, NT
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LINH, NT
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1980,
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(24)
: 906
-
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BANDY S, 1981, APPL PHYS LETT, V38
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THERMAL CONDUCTIVITY OF SILICON GERMANIUM 3-5 COMPOUNDS AND 3-5 ALLOYS
MAYCOCK, PD
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MAYCOCK, PD
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1967,
10
(03)
: 161
-
&
[5]
RIAZIAT M, 1989, JUN IEEE MTT S INT M
[6]
RIDLEY BK, 1977, J APPL PHYS, V48
[7]
SEO KS, 1985, ELECTRON DEVICE LETT, V6
[8]
YARIV A, 1985, OPTICAL ELECTRONICS
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共 8 条
[1]
MICROWAVE-POWER AMPLIFICATION WITH INP FETS
ARMAND, M
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ARMAND, M
CHEVRIER, J
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CHEVRIER, J
LINH, NT
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LINH, NT
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1980,
16
(24)
: 906
-
907
[2]
BANDY S, 1981, APPL PHYS LETT, V38
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MAYCOCK, PD
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MAYCOCK, PD
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1967,
10
(03)
: 161
-
&
[5]
RIAZIAT M, 1989, JUN IEEE MTT S INT M
[6]
RIDLEY BK, 1977, J APPL PHYS, V48
[7]
SEO KS, 1985, ELECTRON DEVICE LETT, V6
[8]
YARIV A, 1985, OPTICAL ELECTRONICS
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