HYPER-ABRUPT EPITAXIAL TUNING DIODES

被引：7

作者：

JACKSON, DM

DEMASSA, TA

机构：

[1] MOTOROLA INC,DIV SEMICONDUCTOR PROD,PHOENIX,AZ 85036

[2] ARIZONA STATE UNIV,TEMPE,AZ 85281

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1977年 / 20卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1016/S0038-1101(77)81004-6

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：485 / 490

页数：6

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共 2 条

[1] Simplified and advanced Theory of the Boundary Layer Rectifiers
Schottky, W.
[J]. ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1942, 118 (9-10): : 539 - 592
[2] SUKEGAWA T, 1966, IEEE T ELECTRON DEV, V13