INFLUENCE OF THE SURFACE AND THE EPISUBSTRATE INTERFACE ON THE DRAIN CURRENT DRIFT OF GAAS-MESFETS

被引：9

作者：

ITOH, H ^{[1
]}

OHATA, K ^{[1
]}

HASEGAWA, F ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON ELECT CO LTD,CENT RES LABS,ELECTRON DEVICES RES LAB,KAWASAKI 211,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1981.20447

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：5