ION-IMPLANTED ESFI MOS DEVICES WITH SHORT SWITCHING TIMES

被引：8

作者：

POMPER, M ^{[1
]}

TIHANYI, J ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,RES LABS,MUNICH,WEST GERMANY

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1974年 / SC 9卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1974.1050510

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：250 / 256

页数：7

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共 13 条

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