2 CHEMICAL STAINS FOR MARKING P-N JUNCTIONS IN SILICON

被引：27

作者：

WHORISKEY, PJ

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1958年 / 29卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1723306

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：867 / 868

页数：2

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共 1 条

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FULLER CS, 1956, J APPL PHYS, V27, P553