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FIELD EFFECT TRANSISTORS AT 4.2 DEGREES K
被引:10
作者
:
KINGSTON, FE
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0
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KINGSTON, FE
LEE, K
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LEE, K
机构
:
来源
:
REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS
|
1968年
/ 39卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1683443
中图分类号
:
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
:
0804 ;
080401 ;
081102 ;
摘要
:
引用
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页码:599 / &
相关论文
共 4 条
[1]
THE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DACEY, GC
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DACEY, GC
ROSS, IM
论文数:
0
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ROSS, IM
[J].
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL,
1955,
34
(06):
: 1149
-
1189
[2]
KANE JF, 1966, ELECTRON PROD, V9, P93
[3]
MCINTYRE R, 1966, ELECTRON PROD, V9, P162
[4]
SHOCKLEY W, 1952, P IRE, V40, P1313
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共 4 条
[1]
THE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DACEY, GC
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DACEY, GC
ROSS, IM
论文数:
0
引用数:
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ROSS, IM
[J].
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL,
1955,
34
(06):
: 1149
-
1189
[2]
KANE JF, 1966, ELECTRON PROD, V9, P93
[3]
MCINTYRE R, 1966, ELECTRON PROD, V9, P162
[4]
SHOCKLEY W, 1952, P IRE, V40, P1313
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