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STUDY OF MOTION OF IONIC IMPURITIES IN NON-CRYSTALLINE SIO2
被引：4
作者：
VANTURNHOUT, J
[1
]
VANRHEENEN, AH
[1
]
机构：
[1] TNO,CENT LAB,DELFT,NETHERLANDS
关键词：
D O I：
10.1016/0304-3886(77)90093-6
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：213 / 221
页数：9
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