A MODEL FOR THE LATERAL VARIATION OF AUTODOPING IN EPITAXIAL-FILMS

被引：6

作者：

SRINIVASAN, GR

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1980年 / 15卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1980.1051438

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：558 / 561

页数：4

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共 5 条

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