GROWTH OF GAAS1-XPX CRYSTALS BY PULLING FROM GALLIUM-RICH SOLUTIONS

被引：10

作者：

CERRINA, F ^{[1
]}

MARGADONNA, D ^{[1
]}

PERFETTI, P ^{[1
]}

机构：

[1] CNR, LAB ELETTRONICA STATO SOLIDO, ROME 00156, ITALY

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(73)90202-9

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：202 / 204

页数：3

共 5 条

[1]

ILEGEMS M, 1968, 2 P INT S GAAS, P3

[2]

Mullin J. B., 1968, Journal of Crystal Growth, V3-4Spe, P281, DOI 10.1016/0022-0248(68)90154-1

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