A NEW REVERSE BASE CURRENT (RBC) OF THE BIPOLAR-TRANSISTOR INDUCED BY IMPACT IONIZATION

被引：4

作者：

SAKUI, K

HASEGAWA, T

FUSE, T

SESHITA, T

ARITOME, S

WATANABE, S

OHUCHI, K

MASUOKA, F

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1989年 / 28卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.28.L2150

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L2150 / L2152

页数：3

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