INFLUENCE OF N-TYPE DOPANTS ON LATTICE LOCATION OF IMPLANTED P-TYPE DOPANTS IN SI AND GE

被引：12

作者：

ERIKSSON, L

FLADDA, G

BJORKQVIST, K

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1652771

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：195 / +

页数：1

共 7 条

[1]

BJORKQVIST K, 1968, APPL PHYS LETT, V13, P379, DOI 10.1063/1.1652479

[2]

BJORKQVIST K, UNPUBLISHED WORK

DAVIES, JA ;

DENHARTO.J ;

ERIKSSON, L ;

MAYER, JW .

[4]

ERIKSSON L, TO BE PUBLISHED

[5]

FLADDA G, UNPUBLISHED WORK

MAYER, JW ;

DAVIES, JA ;

ERIKSSON, L .

[7]

Watkins G.D., 1964, Radiation Damage in Semiconductors, P97