110GHZ HIGH-EFFICIENCY PHOTODIODES FABRICATED FROM INDIUM TIN OXIDE-GAAS

被引：34

作者：

PARKER, DG ^{[1
]}

SAY, PG ^{[1
]}

HANSOM, AM ^{[1
]}

SIBBETT, W ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV ST ANDREWS,DEPT PHYS,ST ANDREWS KY16 9AJ,FIFE,SCOTLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870380

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

SEMICONDUCTOR DIODES, PHOTODIODE

引用

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页数：2