The effect of tension on the electrical resistance of single bismuth crystals

被引：35

作者：

Allen, M ^{[1
]}

机构：

[1] Harvard Univ, Res Lab Phys, Cambridge, MA USA

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1932年 / 42卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.42.848

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：0848 / 0857

页数：10

共 9 条

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