PHOTOCONDUCTIVE PROPERTIES OF PBTE AND PB0.8SN0.2TE EPITAXIAL FILMS

被引：5

作者：

NUCCIOTTI, A

MASCHERETTI, P

SAMOGGIA, G

DESTEFAN.P

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE | 1972年 / 12卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210120120

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：193 / +

页数：1

共 7 条

[1] BAND STRUCTURE AND LASER ACTION IN PBXSN1-XTE [J].

DIMMOCK, JO ;

MELNGAIL.I ;

STRAUSS, AJ .

[2]

MACHONIS AA, 1964, AIME METAL SOC T, V230, P333

[3]

NUCCIOTTI A, 1971, Patent No. 23949

[4]

RIEDL HR, 1968, NOLTR6883 REP

SCHOOLAR, RB .

[6] PHOTOCONDUCTIVE PBSE EPITAXIAL FILMS [J].

SCHOOLAR, RB ;

LOWNEY, JR .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1971, 8 (01) :224-&

[7] THERMAL AND OPTICAL ENERGY GAPS IN PBTE [J].

TAUBER, RN ;

MACHONIS, AA ;

CADOFF, IB .