FABRICATION OF SILICON MOS DEVICES USING X-RAY LITHOGRAPHY

被引:35
作者
BERNACKI, SE
SMITH, HI
机构
[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
[2] HARVARD UNIV,DIV ENGN & APPL PHYS,CAMBRIDGE,MA 02138
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1975.18155
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:421 / 428
页数:8
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