ESTABLISHMENT OF AN INVERSION LAYER IN PARA-TYPE AND NORMAL-TYPE SILICON SUBSTRATES UNDER CONDITIONS OF HIGH OXIDE FIELDS

被引：13

作者：

SOLOMON, PM ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1977年 / 30卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1063/1.89250

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：597 / 598

页数：2

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共 2 条

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