GAINAS/INP HOT-ELECTRON TRANSISTORS GROWN BY OMVPE

被引：7

作者：

ISHIHARA, K

KINOSHITA, S

FURUYA, K

MIYAMOTO, Y

UESAKA, K

MIYAUCHI, M

机构：

[1] Tokyo Inst of Technology, Tokyo, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Tokyo, Jpn

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1987年 / 26卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L911

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L911 / L913

页数：3