PARAMAGNETIC RESONANCE IN AS-DOPED SILICON

被引:24
作者
HONIG, A
COMBRISSON, J
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1956年 / 102卷 / 03期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.102.917.2
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
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页数:2
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