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NEAR BAND-GAP PHOTOLUMINESCENCE OF THE MOCVD-GROWN HEAVILY SI-DOPED GAAS
被引：16
作者：
LIDEIKIS, T
TREIDERIS, G
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/11/006
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：938 / 942
页数：5
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