REFRACTORY GATE TECHNOLOGY FOR RADIATION HARDENED CIRCUITS

被引：6

作者：

SMELTZER, RK

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1980年 / 27卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1980.4331099

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1745 / 1748

页数：4

相关论文

共 3 条

[1] RADIATION HARDNESS OF LSI-VLSI FABRICATION PROCESSES [J].

HUGHES, HL .

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 1979, 26 (06) :5053-5055

[2]

MURARKA SP, 1979, IEDM, P454

[3] REFRACTORY-METAL GATE PROCESSES FOR VLSI APPLICATIONS [J].

SHAH, PL .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1979, 26 (04) :631-640