EPITAXIAL GALLIUM ARSENIDE AS HALL ELEMENTS

被引：7

作者：

THANAILAKIS, AO

COHEN, E

机构：

[1] Dept. of Electrical Engineering Electronics University, Manchester Institute of Science and Technology Manchester

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(69)90022-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

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