TRANSIENT-MODE LIQUID-PHASE EPITAXY OF GAAS ON INP AND ALGAAS ON GAP

被引：4

作者：

MOON, RL

VANDERPLAS, HA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF02655682

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：347 / 362

页数：16

共 16 条

BOLKHOVITYANOV, YB ;

ZEMBATOV, HB .

[2]

Carslaw H.S., 1959, CONDUCTION HEAT SOLI

CROSSLEY, I ;

SMALL, MB .

[4]

Deitch R. H., 1970, Journal of Crystal Growth, V7, P69, DOI 10.1016/0022-0248(70)90117-X

ETTENBERG, M ;

MCFARLANE, SH .

[6]

HSIEH JJ, 1974, J CRYST GROWTH, V27, P49, DOI 10.1016/0022-0248(74)90418-7

[7]

KAPOROV KA, 1965, TABLES FUNCTION WZ E

[8] DEPENDENCE OF GAAS LPE LAYER THICKNESS ON GROWTH TEMPERATURE [J].

MOON, RL ;

LONG, SI .

[9]

MOON RM, UNPUBLISHED

[10]

OLSON GH, 1975, J CRYST GROWTH, V31, P223