THE EXCESS NOISE IN BURIED-CHANNEL MOS-TRANSISTORS

被引：8

作者：

HAYAT, SA

JONES, BK

机构：

[1] Univ of Lancaster, Lancaster, Engl, Univ of Lancaster, Lancaster, Engl

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1987年 / 2卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/2/11/005

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

8

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页码：732 / 735

页数：4

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