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SIMS STUDY OF COMPOSITIONAL DISORDERING IN SI ION-IMPLANTED ALGAAS-GAAS SUPERLATTICE
被引：21
作者：
KOBAYASHI, J
NAKAJIMA, M
BAMBA, Y
FUKUNAGA, T
MATSUI, K
ISHIDA, K
NAKASHIMA, H
ISHIDA, K
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
05期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L385
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L385 / L387
页数：3
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