DEFECT-STATE GENERATION IN CZOCHRALSKI-GROWN (100) SILICON RAPIDLY ANNEALED WITH INCOHERENT-LIGHT

被引：24

作者：

BARBIER, D

REMRAM, M

JOLY, JF

LAUGIER, A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.338848

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：156 / 160

页数：5

共 15 条

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